9788865371671.jpg


luglio 2013
Pagine 703
Formato cm 17 x 24
ISBN: 9788865371671
Categoria: Scienza e Tecnica

Dispositivi di potenza a semiconduttore



Questo libro raccoglie le lezioni svolte dall’autore presso la Facoltà di Ingegneria dell’Università di Catania agli studenti del corso di laurea in microelettronica. È quindi rivolto a chi per la prima volta, per studio o per lavoro, ha necessità di comprendere i meccanismi di funzionamento dei transistori di potenza e le problematiche che emergono quando si passa dai principi di funzionamento al comportamento reale del dispositivo.
Il libro è formato da un corpo centrale, diviso in quattro parti, con l’aggiunta di schede di approfondimento alla fine di ogni capitolo.
La prima parte si occupa dei transistori bipolari di potenza, la seconda dei dispositivi a gate isolato (PowerMOSFET e IGBT), la terza delle tecniche di controllo del tempo di vita dei minoritari e della integrazione di potenza, l’ultima parte fornisce elementi di conoscenza su alcune linee di sviluppo future.
Le schede analizzano particolari argomenti legati a problematiche emerse nelle fasi di realizzazione-caratterizzazione dei dispositivi.
Il libro vuole mostrare il punto di vista di chi sviluppa e caratterizza nuove tecnologie e nuovi dispositivi di potenza, con l’obiettivo di evidenziare aspetti generalmente trascurati:
- la continua innovazione delle tecnologie e delle strutture in un campo considerato “maturo”
- la correlazione tra grandezze elettriche e struttura fisico-geometrica del dispositivo
- le problematiche reali incontrate nella fabbricazione/caratterizzazione dei dispositivi e le loro soluzioni.


48,00

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